Міністерство освіти і науки
Національний університет (Львівська політехніка(
КУРСОВА РОБОТА
з дисципліни (Аналогові електронні пристрої(
на тему:
(Розрахунок підсилювача низької частоти на БТ з аналогом на ОП(
Виконав:
ст. гр. РТ – 31
Прийняв:
Блажкевич І.І.
Львів – 2006
Технічне завдання
Коефіціент підсилення напруги Ku ,дБ.........................................................................40
Потужність навантаження Рн,Вт.....................................................................................5
Нижня гранична частота ,Гц...................................................................................100
Верхня гранична частота, кГц.................................................................................100
Внутрішній опір джерела сигналу ,Ом................................................................100
Опір навантаження , Ом...........................................................................................50
Ємність навантаження ,пФ.......................................................................................50
Допустима нестабільність струму колектора , %...............................................0.05
9. Діапазон робочих температур, .................................................................+20...+50
Вступ.
В даний час підсилювачі дуже широко поширені практично у всіх сферах людської діяльності: у промисловості, техніці, медицині, музиці, на транспорті тощо. Підсилювачі є необхідним елементом будь-яких систем зв'язку, радіомовлення, акустики, автоматики. Але перш, ніж підсилювач став таким розповсюдженим йому довелося пройти дуже довгий шлях.
Активним елементом перших підсилювачів була електронна лампа. Такі підсилювачі були громіздкі, споживали багато енергії і швидко виходили з ладу. Тільки в середині ХХ сторіччя після довгих наполегливих пошуків і праць нарешті удалося вперше створити підсилювальний напівпровідниковий прилад, що заміняє електронну лампу. Це важливе відкриття зробило великий переворот у радіоелектроніці. Габарити транзисторних підсилювачів стали в кілька разів менше лампових, а споживана потужність – зменшилась в десятки разів. До того ж значно збільшилася надійність.
Але науково-технічний прогрес на цьому не зупинився. З'явилася перша мікросхема. Зараз широко застосовуються підсилювачі, цілком зібрані на мікросхемах і мікрозбірках. Практично єдина проблема на сьогоднішній день - це відвід тепла. Тому що потужні підсилювачі розсіюють велику кількість тепла, необхідно інтенсивно відводити це тепло, що не дозволяє мініатюризувати потужні підсилювачі.
Наступним етапом розвитку є технологія поверхневого монтажу кристалів. Технологія поверхневого монтажу кристалів забезпечує мініатюризацію радіоелектронної апаратури при збільшенні її функціональної складності. Навісні компоненти набагато менше, ніж ті, що монтуються в отвори, що забезпечує більш високу щільність монтажу і зменшує масогабаритні показники. Поряд з цим для більшої мініатюризації застосовують мікрозбірки і гібридні інтегральні схеми.
В даний час багато підсилювачів виконуються на друкованих платах. Застосування друкованих плат дало можливість, у порівнянні з об'ємними конструкціями, збільшити щільність монтажу, надійність, ремонтоздатність, зменшити масу конструкції, розкид параметрів і так далі.
В даній курсовій роботі при проектуванні схеми підсилювача доцільно розпочати з вихідного каскаду. В залежності від величини навантаження необхідно вибрати схему вихідного каскаду. Вхідні каскади підсилення будуються за класичними схемами. На вході ставимо диференційний каскад.
Відомо, що p-n перехід при зміні температури на 1 (С змінює свій струм на 0,6-1,3 %. Тому в залежності від заданої в ТЗ нестабільності колекторного струму (Ік вводимо емітерну стабілізацію, базові подільники, а при потребі і електронний опір. Електронний опір використовується в тому випадку, коли значення (Ік є дуже мале.
...
